Transistors. Page 3 sur 114. Avtronic

Transistor 2N4857A

5.30€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor 2N4857A N-FET 40V 50mA 360mW Idss: : 20mA 40R Up: 2V - 6V. J-FET. Constructeur: Siliconix. Boîtier: TO-18 (TO-206A). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 mA. Puissance: 360 mW

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5087

1.00€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N5087 50V 0.1A 625W 40Hz NF:2.0dB. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. hFE: 250-900. Puissance: 625 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor PNP 2N5087-CDIL

0.75€ TTC

378 En stock

Transistor PNP 50V 50mA 0.625W 40Hz NF:2.0dB

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5088

0.45€ TTC

6980 En stock

Transistor NPN 2N5088 30V 0.1A 625W 50Hz NF:3.0dB. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. hfe: 400-900. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. TO-92. Puissance: 625 W

Quantité minimum: 2

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5109

16.50€ TTC

24 En stock

Transistor bipolaire NPN 40V 0.4A. Boîtier: TO-5. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.4A. Fréquence maxi: 1.5GHz. VHF/UHF

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5116

5.60€ TTC

182 En stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -30V . Courant de Drain maxi (25°C): -6mA

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5210

0.35€ TTC

265 En stock

Transistor NPN 2N5210 50V 0.1A 625W 30MHz Vebo: 4.5V. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. hfe: 200-600. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. TO-92. Fréquence maxi: 30 MHz. Puissance: 625 W

Quantité minimum: 10

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5401

0.35€ TTC

2972 En stock

Transistor bipolaire PNP 160V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 100MHz. 2N5401G.

Quantité minimum: 10

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5415

3.05€ TTC

64 En stock

Transistor bipolaire PNP 200V 1A. Boîtier: TO-39 (TO-205). Tension collecteur-émetteur maxi: 200V. Vceo (IB=0): 200V. Vcbo: 200V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 15MHz. Vce(sat): 2.5V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 150.

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5416

3.15€ TTC

24 En stock

Transistor bipolaire PNP 350V 1A. Boîtier: TO-39. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Vceo (IB=0): 300V. Vcbo: 350V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 15MHz. Vce(sat): 2.5V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 120.

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5416-ST

4.75€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor PNP 350V 1A 1W/10W 15MHz VID.. Constructeur: ST Microelectronics. Type de boîtier: TO-39 (TO-205). Boîtier: TO-39. Transistor au silicium. 3-pin. Type de transistor: PNP. Vceo: 300V. Vcbo: 350V. Vebo: 6V. Consommation 1A. Puissance: 10W. FT: 15MHz. VCE(sat): 2.5V. HFE(min): 30. HFE max.: 120. C (out): 25 pF. Diode CE: No. Diode BE: No.

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5458

4.75€ TTC

68 En stock

Transistor 2N5458 N-FET 25V Idss: >6mA Up-7V 625mW TO-92. JFETs - General Purpose. Uni sym. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 mA

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5459

1.75€ TTC

2080 En stock

Transistor 2N5459 N-FET 25V Idss: >9mA Up<8V 625mW TO-92. Uni sym. Constructeur: FAI. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 mA. Puissance: 625 mW

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5460

4.60€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -40V. Courant de drain maxi: -10mA. Puissance: 350mW. Boîtier: TO-92.

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Tarifs dégressifs

Transistor FET canal-P 2N5461

2.30€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor FET canal-P 40V 10mA 350mW Idss 2-9mA

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5484

2.40€ TTC

96 En stock

Transistor 2N5484 N-FET 25V Idss: >1mA 350mW VHF/U. J-FET. VHF/UHF. RF Amplifier. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1 mA. VHF/UHF. Puissance: 350 mW

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5551

0.20€ TTC

2251 En stock

Transistor bipolaire NPN 180V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 180V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 100MHz. Gain Hfe: 80-250.

Quantité minimum: 10

0

Tarifs dégressifs

Transistor NPN 2N5589

29.80€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 36V 0.6A 3-15W PQ=3W 175MHz VHF

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5590

44.75€ TTC

Actuellement en rupture de stock

Transistor NPN 2N5590 36V 2A PQ=10W 175MHz VHF. Vce maxi: 36 V. Courant de collecteur maxi: 2 A. VHF-L. Fréquence maxi: 175 MHz. Puissance: 10 W

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5883

10.75€ TTC

3 En stock

Transistor bipolaire PNP 2N5883 60V 25A 200W >4MHz. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 25A. Boîtier: TO3. Paire: 2N5885. Fréquence maxi: 4 MHz. Puissance: 200W.

0

Tarifs dégressifs

Transistor 2N5884

13.45€ TTC

163 En stock

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant collecteur maxi: 25A. Boîtier: TO3. Paire: 2N5886. Fréquence maxi: 4 MHz. Puissance: 200W.

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Tarifs dégressifs

Transistors

Transistor 2N4857A

Transistor 2N4857A N-FET 40V 50mA 360mW Idss: : 20mA 40R Up: 2V - 6V. J-FET. Constructeur: Siliconix. Boîtier: TO-18 (TO-206A). Tension de Drain maxi: 40 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 50 mA. Puissance: 360 mW

Transistor 2N5087

Transistor NPN 2N5087 50V 0.1A 625W 40Hz NF:2.0dB. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. Boîtier: TO-92. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. hFE: 250-900. Puissance: 625 W

Transistor PNP 2N5087-CDIL

Transistor PNP 50V 50mA 0.625W 40Hz NF:2.0dB

Transistor 2N5088

Transistor NPN 2N5088 30V 0.1A 625W 50Hz NF:3.0dB. Vce maxi: 30 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. hfe: 400-900. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. TO-92. Puissance: 625 W

Transistor 2N5109

Transistor bipolaire NPN 40V 0.4A. Boîtier: TO-5. Tension collecteur-émetteur maxi: 40V. Courant de collecteur maxi: 0.4A. Fréquence maxi: 1.5GHz. VHF/UHF

Transistor 2N5116

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -30V . Courant de Drain maxi (25°C): -6mA

Transistor 2N5210

Transistor NPN 2N5210 50V 0.1A 625W 30MHz Vebo: 4.5V. Vce maxi: 50 V. Courant de collecteur maxi: 0.1 A. hfe: 200-600. Pre-ampl HI-FI. Low-noise. Constructeur: FAI. TO-92. Fréquence maxi: 30 MHz. Puissance: 625 W

Transistor 2N5401

Transistor bipolaire PNP 160V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 160V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 100MHz. 2N5401G.

Transistor 2N5415

Transistor bipolaire PNP 200V 1A. Boîtier: TO-39 (TO-205). Tension collecteur-émetteur maxi: 200V. Vceo (IB=0): 200V. Vcbo: 200V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 15MHz. Vce(sat): 2.5V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 150.

Transistor 2N5416

Transistor bipolaire PNP 350V 1A. Boîtier: TO-39. Tension collecteur-émetteur maxi: 300V. Vceo (IB=0): 300V. Vcbo: 350V. Courant de collecteur maxi: 1A. Puissance: 1W. Fréquence maxi: 15MHz. Vce(sat): 2.5V. Gain Hfe mini: 30. Gain Hfe maxi: 120.

Transistor 2N5416-ST

Transistor 2N5458

Transistor 2N5458 N-FET 25V Idss: >6mA Up-7V 625mW TO-92. JFETs - General Purpose. Uni sym. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 6 mA

Transistor 2N5459

Transistor 2N5459 N-FET 25V Idss: >9mA Up<8V 625mW TO-92. Uni sym. Constructeur: FAI. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 9 mA. Puissance: 625 mW

Transistor 2N5460

Transistor P-FET. Tension drain-source maxi: -40V. Courant de drain maxi: -10mA. Puissance: 350mW. Boîtier: TO-92.

Transistor FET canal-P 2N5461

Transistor FET canal-P 40V 10mA 350mW Idss 2-9mA

Transistor 2N5484

Transistor 2N5484 N-FET 25V Idss: >1mA 350mW VHF/U. J-FET. VHF/UHF. RF Amplifier. Constructeur: FAI. Boîtier: TO-92. Tension de Drain maxi: 25 V. Courant de Drain maxi (@25°C): 1 mA. VHF/UHF. Puissance: 350 mW

Transistor 2N5551

Transistor bipolaire NPN 180V 0.6A. Boîtier: TO-92. Tension collecteur-émetteur maxi: 180V. Courant de collecteur maxi: 0.6A. Puissance: 0.625W. Fréquence maxi: 100MHz. Gain Hfe: 80-250.

Transistor NPN 2N5589

Transistor NPN 36V 0.6A 3-15W PQ=3W 175MHz VHF

Transistor 2N5590

Transistor NPN 2N5590 36V 2A PQ=10W 175MHz VHF. Vce maxi: 36 V. Courant de collecteur maxi: 2 A. VHF-L. Fréquence maxi: 175 MHz. Puissance: 10 W

Transistor 2N5883

Transistor bipolaire PNP 2N5883 60V 25A 200W >4MHz. Tension collecteur-émetteur maxi: 60V. Courant collecteur maxi: 25A. Boîtier: TO3. Paire: 2N5885. Fréquence maxi: 4 MHz. Puissance: 200W.

Transistor 2N5884

Transistor bipolaire PNP. Tension collecteur-émetteur maxi: 80V. Courant collecteur maxi: 25A. Boîtier: TO3. Paire: 2N5886. Fréquence maxi: 4 MHz. Puissance: 200W.

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